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HMC636ST89TR带有引脚细节，包括HMC636系列，它们设计用于高线性低噪声增益块放大器类型，数据表注释中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-243AA，以及200MHz~4GHz频率，该器件也可以用作GaAs技术。此外，频率范围为0.2 GHz至4 GHz，该设备提供1信道数信道，该设备具有5V电压供应，供应商设备包为SOT-89，电流供应为175mA，增益为10dB，P1dB为23dBm，噪声系数为2dB，RF类型为通用型，Pd功耗为0.86 W，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为5 V，工作电源电流为155 mA，工作频率为0.2 GHz至4 GHz，NF噪声系数为2.5 dB，P1dB压缩点为22 dBm，OIP3三阶截距为39 dBm，输入回波损耗为10 dB。
HMC636ST89ETR是IC增益块放大器SOT89，包括5V电压源，它们设计用于高线性低噪声增益块放大器类型，数据表说明中显示了用于GaAs的技术，该GaAs提供供应商器件封装功能，如SOT-89，该系列设计用于HMC636，以及通用RF类型，该器件也可以用作0.86W Pd功率耗散。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件采用TO-243AA封装盒，该器件的P1dB压缩点为22dBm，P1dB为23dBm，工作电源电压为5V，工作电源电流为155mA，工作频率为0.2GHz至4GHz，OIP3三阶截距为39dBm，信道数为1信道，噪声系数为2dB，NF噪声系数为2.5dB，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+85℃，输入回波损耗为10dB，增益为10dB；频率范围为0.2 GHz至4 GHz，频率为200MHz至4GHz，电流供应为175mA。
HMC636ST89E是IC增益块放大器SOT89，包括增益块放大器类型，它们设计用于175mA电流源，频率如数据表注释所示，用于200MHz~4GHz，提供0.2 GHz至4 GHz等频率范围功能，增益设计用于10dB，以及10dB输入回波损耗，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件的NF噪声系数为2.2 dB，噪声系数为2dB，信道数为1信道，OIP3三阶截距为40 dBm，工作频率为4 GHz，工作电源电流为155 mA，工作电源电压为5V，P1dB为23dBm，P1dB压缩点为22dBm，封装盒为TO-243AA，封装为切割条交替封装，Pd功耗为0.86W，RF类型为通用型，系列为HMC636，供应商设备封装为SOT-89，技术为GaAs，类型为RF放大器，电源电压为5V。
