9icnet为您提供由Analog Devices Inc.股份有限公司设计和生产的HMC-ALH216-E,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。HMC-ALH216-E参考价格为12.655美元。模拟设备股份有限公司HMC-ALH216-E封装/规格:IC RF AMP GP 14-27GHZ DIE 1=2PC。您可以下载HMC-ALH216-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如HMC-ALH216-E价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
HMC-ALH216是IC RF AMP LN DIE,包括HMC-ALH216G系列,它们设计用于低噪声放大器类型,封装如数据表注释所示,用于散装,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于管芯,以及14GHz~27GHz频率,该器件也可以用作GaAs技术。此外,频率范围为14 GHz至27 GHz,该设备提供1个信道数量的信道,该设备具有4V电压供应,供应商设备封装为裸片,电流供应为90mA,增益为18dB,测试频率为14GHz至27GHz,噪声系数为2.7dB,RF类型为通用型,Pd功耗为1.4W,其最大工作温度范围为+85℃,最小工作温度范围-55℃,工作电源电压为4 V,工作电源电流为90 mA,工作频率为14 GHz至27 GHz,NF噪声系数为2.7 dB,P1dB压缩点为14 dBm,输入回波损耗为15 dB。
HMC-ALH140是IC RF AMP LN DIE,包括4V电压源,它们设计用于RF放大器类型,测试频率如数据表注释所示,用于24GHz~40GHz,提供GaAs等技术特性,供应商设备包设计用于管芯,以及VSAT RF类型,该设备也可以用作散装包装。此外,封装外壳为Die,该器件提供15 dBm P1dB压缩点,该器件具有15 dBm的P1dB,工作电源电压为4 V,工作电源电流为60 mA,工作频率为40 GHz,信道数为1信道,噪声系数为4dB,NF噪声系数为4 dB,安装方式为SMD/SMT,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+85℃,输入回波损耗为20 dB,增益为12dB,频率范围为24 GHz至40 GHz,频率为24GHz至40GHz,电流供应为60mA,放大器类型为LNA。
HMC-ALH140-SX,带有模拟设备/Hhitite制造的电路图。是RF放大器的一部分,并支持RF放大器GaAs HEMT WB和低噪声放大器27-40 GHz、RF放大器IC VSAT、DBS 24GHz~40GHz裸片、RF放大器单LNA 40GHz 5.5V 6针裸片托盘。