描述Avago
技术公司的ALM-32120是一种高线性2瓦PA,具有良好的OIP3性能和1dB增益压缩点下的优异PAE,通过使用Avago技术公司专有的0.25um GaAs En实现-
增强模式pHEMT过程。所有匹配组件都完全集成在模块中,502 RF输入和输出引脚已经内部交流耦合。这使得ALM-32120
极易使用,因为唯一的外部部件是直流电源旁路电容器。
可调温度补偿内部偏置电路允许设备在A类或AB类操作下运行。ALM-32120封装在微型7.0×10.0×1.1 mm3 20引线多芯片内-
板(MCOB)模块封装。
特征
·完全匹配,输入和输出
·高线性和P1dB
·在负载条件下无条件稳定
·内置可调温度补偿内部偏置电路
·GaAs E-pHEMT技术
·5V电源
·产品规格具有良好的一致性
·提供磁带和卷筒包装选项
·MSL-3和无铅
·基站应用规范的高MTTF
900MHz;5V,800mA(典型)
·14.3 dB增益
·52.0 dBm输出IP3
·1dB增益压缩时的34.4 dBm输出功率
·P1dB时的50.3%PAE
·2.5dB噪声系数
应用
·用于GSM/W-CDMA/WiMAX基站的A类驱动放大器。
·通用增益块。
特色
- 完全匹配,输入和输出
- 在负载条件下无条件稳定
- 内置可调温度补偿内部偏置电路
- GaAs E-pHEMT技术
- 产品规格具有良好的一致性
- 基站应用的高MTTF