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HMC716LP3E是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 16-QFN，包括HMC716系列，它们设计为与RF放大器类型一起工作。数据表注释中显示了用于切割条交替封装的封装，该封装提供了SMD/SMT等安装方式功能。封装盒设计用于16-VFQFN暴露焊盘，以及3.1GHz~3.9GHz频率，该器件也可以用作GaAs技术。此外，频率范围为3.1 GHz至3.9 GHz，该设备提供1个信道数量的信道，该设备具有3V、5V的电压供应，供应商设备包为16-QFN（3x3），电流供应为65mA，增益为18dB，放大器类型为LNA，P1dB为19dBm，噪声系数为1dB，RF类型为通用型，Pd功耗为0.72 W，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为5 V，工作电源电流为65 mA，工作频率为3.9 GHz，NF噪声系数为1 dB，P1dB压缩点为19 dBm，OIP3三阶截距为33 dBm，输入回波损耗为30 dB。
HMC715LP3ETR是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 16-QFN，包括3 V~5 V电源，设计用于2.9GHz测试频率，数据表说明中显示了用于16-QFN（3x3）的供应商设备包，其提供LTE、WiMax等射频类型功能，该器件也可以用作19.5dBm P1dB。此外，噪声系数为0.9dB，设备的增益为19dB，设备频率为2.1GHz~2.9GHz，电流供应为95mA。
HMC716LP3ETR是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 16-QFN，包括65mA电流源，其设计工作频率为3.1GHz~3.9GHz，数据表注释中显示的增益为18dB，具有1dB、P1dB等噪声系数特性，以及16-VFQFN外露焊盘封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）替代包装包装。此外，RF类型为通用型，该设备采用16-QFN（3x3）供应商设备包提供，该设备具有3V、5V的电源。
