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VMM90-09F是MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI，包括HiPerFET？系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于双功率HiPerFET模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺旋式，其工作温度范围为-40℃至+150℃，该设备也可用作Y3 Li封装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有供应商设备包Y3 Li，FET类型为2 N通道（双），漏极到源极电压Vdss为900V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为85A，最大Id Vgs的Rds为76mOhm@65A，10V，Vgs th Max Id为5V@30mA，栅极电荷Qg Vgs为960nC@10V，Vf正向电压为1.1V。
VMMK-2103-BLKG是AMP RFIC LNA E-PHET 6GHZ 0402，包括5V电压电源，设计用于MMIC类型，测试频率如数据表注释所示，用于3GHz，提供供应商设备包功能，如402，RF类型设计用于蜂窝、PCS以及300 mW Pd功耗，该装置也可以用作切割条替代包装包装。此外，封装外壳为0402（1005公制），器件提供0dBm P1dB，器件的工作电源电压为5V，工作电源电流为23mA，工作频率为500MHz至6GHz，信道数为1信道，噪声系数为2.1dB，NF噪声系数为2.1 dB，安装方式为SMD/SMT，它的最大工作温度范围为+150℃，输入回波损耗为11dB，增益为14dB，频率为500MHz~6GHz，电流供应为23mA。
VMM90-09P带有电路图，请联系技术支持团队了解更多VMM90-09 P信息。
