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HMC618ALP3E带有引脚细节，包括HMC618A系列，它们设计用于低噪声放大器类型，包装如数据表注释所示，用于切割条替代包装，提供单位重量功能，如0.002014盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及16-VFQFN暴露焊盘包装盒，该器件还可以用作1.2GHz～2.2GHz频率。此外，该技术为GaAs，该器件在1.2 GHz至2.2 GHz频率范围内提供，该器件具有1个信道数，电压供应为3 V~5 V，供应商器件封装为16-SMT（3x3），电流供应为118mA，增益为23dB，放大器类型为低噪声，测试频率为2.2GHz，P1dB为20dBm，噪声系数为0.85dB，RF类型为LTE、WiMax，Pd功耗为630 mW，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为3 V至5 V，工作电源电流为89 mA，工作频率为1.2 GHz至2.2 GHz，NF噪声系数为0.75 dB，P1dB压缩点为20 dBm，OIP3三阶截距为36dBm，输入回波损耗为22.5dB。
带用户指南的HMC618ALP3ETR，包括3 V~5 V电源，设计用于1.7GHz~2GHz测试频率，数据表说明中显示了用于16-SMT（3x3）的供应商设备包，该产品提供HMC618A等系列功能，RF类型设计用于LTE、WiMax以及Digi-ReelR替代封装，该器件也可以用作16-VFQFN暴露焊盘封装盒。此外，P1dB为20dBm，设备的噪声系数为0.75dB，设备的增益为23dB，频率为1.2GHz~2.2GHz，电流供应为89mA。
HMC618LP3E是集成电路MMIC AMP LNA ADJ IDS 16-QFN，包括89mA电流源，设计用于1.2GHz~2.2GHz频率，数据表注释中显示的增益为19dB，具有4.5dB等噪声系数特性，P1dB设计用于20dBm，以及16-VFQFN外露衬垫封装外壳，该设备也可用作Digi-ReelR封装。此外，射频类型为LTE、WiMax，该设备以16-QFN（3x3）供应商设备包提供，该设备的测试频率为1.7GHz~2GHz，电源电压为3V~5V。
HMC618LP3ETR，采用HITITE制造的EDA/CAD模型。HMC618LP3ETR采用QFN-16封装，是IC芯片的一部分。
