MHVIC910HNR2

描述
MHVIC910HNR2集成电路专为GSM基站设计，采用Freescaleí最新的高压（26伏）LDMOS IC技术，并包含三级放大器。目标应用包括宏小区（驱动器功能）和微小区基站（最终阶段）。该器件采用PFP-16功率扁平封装，通过可焊背面接触提供优异的热性能。
•典型GSM性能：VDD
•典型GSM性能：VDD=26伏，IDQ=150 mA，Pout=10瓦，全频段（921-960 MHz）
功率增益ó39 dB（典型），功率增加效率ó48%（典型）
•能够处理10:1 VSWR，@26 Vdc，945 MHz，10 W CW输出功率
•稳定至10:1 VSWR。在0至40 dBm CW Pout时，所有杂散低于-60 dBc。
特征
•片上匹配（50欧姆输入，直流阻断，>5欧姆输出）
•集成ESD保护
•可用频率范围ó921至960 MHz
•符合RoHS
•在磁带和卷轴中。R2后缀=每16 mm、13英寸卷筒1500个单位。

（图片：引出线）