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HMC907LP5E是集成电路MMIC PWR AMP 1/2W 32-QFN，包括HMC907G系列，它们设计为与RF放大器类型一起工作。数据表注释中显示了用于切割条交替封装的封装，该封装提供了SMD/SMT等安装方式功能。封装盒设计用于32-VFQFN暴露焊盘，以及200MHz~22GHz频率，该器件也可以用作GaAs技术。此外，频率范围为0.2 GHz至22 GHz，设备提供1信道数，设备具有10V电压供应，供应商设备封装为32-SMT（5x5），电流供应为350mA，增益为12dB，放大器类型为功率，P1dB为25dBm，噪声系数为3.5dB，RF类型为通用型，Pd功耗为4.1W，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-55℃，工作电源电压为10 V，工作电源电流为350 mA，工作频率为22 GHz，NF噪声系数为3.5 dB，P1dB压缩点为26 dBm，OIP3三阶截距为36 dBm，输入回波损耗为15 dB。
HMC907是集成电路MMIC功率放大器DIE，包括10V电源，设计用于RF放大器类型，测试频率如数据表注释所示，用于8GHz，提供GaAs等技术特性，供应商设备包设计用于模具，以及HMC907G系列，该设备也可用于VSAT RF类型。此外，Pd功耗为4.1W，该器件采用散装封装，该器件具有封装外壳，P1dB压缩点为27dBm，P1dB为27dBm，工作电源电压为10V，工作电源电流为350mA，工作频率为22GHz，OIP3三阶截距为38dBm，信道数为1信道，噪声系数为3.5dB，NF噪声系数为3.5 dB，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+85 C，输入回波损耗为15 dB，增益为14dB，频率范围为0.2 GHz至22 GHz，频率为200MHz至22GHz，电流供应为350mA，放大器类型为功率。
HMC907LP5ETR是集成电路MMIC PWR AMP 1/2W 32QFN，包括350mA电流源，其设计工作频率为200MHz~22GHz，数据表注释中显示的增益为12dB，具有4dB等噪声系数特性，P1dB设计工作频率26dBm，以及32-VFQFN暴露焊盘封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，RF类型为VSAT，该设备采用32-SMT（5x5）供应商设备包提供，该设备具有18GHz~22GHz的测试频率，电压供应为10V。
