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F2915EVBI

  • 描述:种类: 开关,SP5T 配套使用/相关货物: F2915 频率: 50MHz ~ 8GHz 随附物品: 董事会
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2407.03295 2407.03295
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  • 单价: ¥2,407.03296
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,407.03
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 随附物品 董事会
  • 频率 50MHz ~ 8GHz
  • 种类 开关,SP5T
  • 配套使用/相关货物 F2915

F2915EVBI 产品详情

F2914NBGK8是一款高可靠性、低插入损耗、50ΩSP4T吸收式射频开关,专为多种无线和其他射频应用而设计。该设备覆盖从50 MHz到8000 MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外,F2914NBGK8还提供优异的线性和隔离性能,同时为未使用的RF端口提供50Ω的端接。F2914NBGK8还包括正在申请专利的恒定阻抗(Kz)特性。Kz提高了开关的耐用性,最小化了VCO中的LO损耗,并减少了分布网络中的相位和幅度变化。它也是两个或多个放大器之间动态切换/选择的理想选择,同时避免损坏PA和ADC等上游/下游敏感设备。

F2914NBGK8使用单个正电源电压,支持使用3.3V或1.8V控制逻辑的三个逻辑控制引脚。连接负电压topin 20禁用内部负电压发生器,并成为负电源。

特色

  • 四个对称宽带吸收RF端口
  • 恒定阻抗,Kz,特性
  • 高性能射频
    • 隔离度为54dB@2700 MHz
    • 2700 MHz时插入损耗为1.15 dB
  • 高连续RF CW功率处理
    • 所选射频路径:33dBm
    • 端接射频路径:27dBm
  • 隔离度为54dB@2700 MHz
  • 2700 MHz时插入损耗为1.15 dB
  • 所选射频路径:33dBm
  • 端接射频路径:27dBm
  • 高线性:
    • 114dBm的IIP2
    • IIP3为59.5 dBm
  • 单个2.7V至5.50 V电源电压
  • 外部负电源选项
  • 3.3 V和1.8 V兼容控制逻辑
  • 工作温度-40°C至+105°C
  • 4 mm x 4 mm 24针QFN封装
  • 114dBm的IIP2
  • IIP3为59.5 dBm


(图片:引出线)


F2915EVBI所属分类:射频开发板套件,F2915EVBI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F2915EVBI价格参考¥2407.032957,你可以下载 F2915EVBI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F2915EVBI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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