产品描述是一种HaRPTM技术增强型SPDT RF开关，设计用于100-6000 MHz的广泛应用。该反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要外部组件。Peregrine的HaRPTM技术增强提供了高线性和卓越的谐波性能。是UltraCMOS的创新功能� 在传统CMOS的经济性和集成性方面，提供优于GaAs的性能。
特征对称SPDT反射开关低插入损耗0.25 dB典型0.40 dB典型0.65 dB典型0.90 dB典型@
1000 MHz 3000 MHz 5000 MHz 6000 MHz宽电源范围至5.5V 115 dBm 70 dBm的优良线性度RF引脚上的4kV HBM到所有其他引脚上的GND 1kV逻辑选择（LS）引脚提供控制逻辑2x2 mm QFN封装的最大灵活性
�2012 Peregrine Semiconductor Corp.保留所有权利。第页，共13页参数工作频率100-1000 MHz 1000-2000 MHz插入损耗2 RFX至RFC 2000-3000 MHz 3000-4000 MHz 4000-5000 MHz 5000-6000 MHz 100-1000 MHz 1000-2000 MHz隔离RFX至RFC2000-3000 MHz 3000-4000 MHz 4000-5000 MHz 5000-6000 MHz 1000-1000 MHz 1000-3000 MHz隔离RFX至RFX 3000-4000 Hz 4000-5000 Hz 5000-6000 Hz 100-1000 MHz 1000-2000 MHz返回损耗2 RFX至RFC 2000-3000 MHz 3000-4000 MHz 4000-5000 MHz 5000-6000 MHz二次谐波RFX-RFC+32 dBm输出功率，/900 MHz+32 dBm输出功率，/1900 MHz+33 dBm输出电源，/900 MHz+32 dBm输出功率，/1800 MHz频带I、II、V、VIII+17 dBm@RFC处TX频率，-15 dBm 2Tx Rx，50 100-6000 GHz 100-6000 GHz 50-6000 GHz 50%CTRL（90%-10%）RF路径条件最小值
1.图4至图20 2所示的温度和VDD的典型性能。通过外部匹配可以提高高频性能（见图21至图26和图29）
�2012 Peregrine Semiconductor Corp.保留所有权利。第页，共13页参数VDD电源电压IDD电源电流RFX-RFC输入功率（50）控制电压高控制电压低工作温度范围最小2.3典型3.3 120最大单位V�A dBm伏�C
参数/条件最小值最大值+32单位dBm PMAX输入功率1描述接地RF端口2接地RF公共接地RF接口1数字接地开关控制输入，CMOS逻辑电平逻辑选择，CMOS逻辑水平电源接地，用于正确设备操作ESD电压HBM2 RF引脚到GND所有其他引脚ESD电压MM，所有引脚3 TST存储温度
1.VDD在表4 2规定的工作范围内。HBM ESD电压（MIL_STD 883方法3。MM ESD电压（JEDEC JESD22-A115-A）
超过绝对最大额定值可能会造成永久性损坏。操作应限制在操作范围表中的限制范围内。处理此UltraCMOS时的静电放电（ESD）预防措施� 请遵守与其他ESD敏感设备相同的预防措施。尽管该设备包含保护其免受ESD损坏的电路，但应采取预防措施，避免超过规定的额定值。避免锁存与传统CMOS器件不同，UltraCMOS� 设备不受闩锁的影响。湿度敏感性等级2x2x0.55 mm QFN封装中PE42422的湿度敏感性等级为MSL1。
注1：仅当存在非零直流电压时才需要阻塞电容器�2012 Peregrine Semiconductor Corp.保留所有权利。第页，共13页
