2SK117东芝场效应晶体管硅N沟道结型2SK117低噪声音频放大器应用•高|Yfs|：|Yfs|=15mS（典型值）（VDS=10V，VGS=0）高击穿电压：VGDS=−50V低噪声：NF=1.0dB（典型值Ω) 高输入阻抗：IGSS=−1 nA（max）（VGS=−30 V）单位：mm绝对最大额定值（Ta=25°C）特性栅极漏极电压栅极电流漏极功耗结温存储温度范围符号VGDS IG PD Tj Tstg额定值−50 10 300 125−55 ~ 125单位V mA mW°C注意：在重载下连续使用（例如，JEDEC TO-92高温/电流/电压的应用以及JEITA SC-43温度的显著变化等）可能会导致该产品的可靠性显著降低，即使操作条件（即TOSHIBA 2-5F1D操作温度/电流/电流等）在绝对最大额定值内。重量：0.21 g（典型值）请在查看东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降额概念和方法”）和单个可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后设计适当的可靠性。电气特性（Ta=25°C）特性栅极截止电流栅极漏极击穿电压漏极电流栅极源极截止电压正向转移导纳输入电容反向转移电容符号IGSS V（BR）GDS IDSS（注意）VGS（off）⎪Yfs \9130；Ciss Crss NF（1）噪声系数NF（2）测试条件VGS=−30 V，VDS=0 VDS=1，IG=−100μA VDS=10 V，VGS=0 VDS=10 V，ID=0.1μA VDS=10 V，VGS=0，f=1 kHz VDS=10伏，VGS=0，f=1 MHz VGD=−10 V，ID=0，f==1 MHz VDS=10伏特，RG=1 kΩID=0.5毫安，f=10 Hz VDS=10，RG=1 kΩID=0.5 mA，f=1kHz Min−50 1.2−0.2 4.0————典型———15 13 3 5最大−1.0—14−1.5————10 dB—1 2单位nA V mA V mS pF pF注：IDSS分类Y:1.2～3.0 mA，GR:2.6～6.5 mA，BL:6～14 mA 1 2007-11-01 2SK117 2 2007-11-01 3SK117 3 2007-11-01 1SK117产品使用限制•此处包含的信息可能会更改，恕不另行通知。20070701-EN GENERAL•东芝一直致力于提高其产品的质量和可靠性。然而，半导体器件通常会由于其固有的电敏感性和对物理应力的脆弱性而发生故障或失效。在使用东芝产品时，买方有责任遵守安全标准，为整个系统进行安全设计，并避免此类东芝产品的故障或故障可能导致人员伤亡、人身伤害或财产损失的情况。正在开发[…]
