来自Analog Devices的各种射频开关电路。该系列具有低损耗宽带、正控制转换开关和宽带非反射GaAs MESFET多路开关。
特色
- 高隔离:45 dB@10 GHz 39 dB@20 GHz
- 低插入损耗:1.9 dB@10 GHz2.2 dB@20 GHz
- 快速切换:6 ns
- 非反光设计
- 16铅陶瓷3×3mm SMT封装:9mm2
应用
- 光纤和宽带电信
- 微波无线电和VSAT
- 军用无线电、雷达和ECM
- 测试仪器
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 1864.75703 | 1864.75703 |
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来自Analog Devices的各种射频开关电路。该系列具有低损耗宽带、正控制转换开关和宽带非反射GaAs MESFET多路开关。
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