HMC7911LP5E是一种紧凑型砷化镓（GaAs）伪晶（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）上变频器，采用符合RoHS要求的低应力注塑成型塑料LFCSP封装，工作频率从17 GHz到20 GHz。该设备提供了18dB的小信号转换增益和30dBc的边带抑制。HMC7911LP5E使用了一个可变增益放大器，前面是一个同相/正交（I/Q）混频器，由一个有源2×本地振荡器（LO）乘法器驱动。提供了IF1和IF2混频器输入，需要一个外部90°混频器来选择所需的边带。I/Q混频器拓扑减少了对不需要的边带的滤波需求。HMC7911LP5E是混合式单边带（SSB）上变频器组件的一个更小的替代品，它通过允许使用表面安装制造技术消除了引线键合的需要。
特色
- 转换增益：典型值为18 dB
- 边带抑制：典型值为30 dBc
- 1 dB压缩的输入功率（P1dB）：典型值为2 dBm
- 输出三阶截距（OIP3）：典型值33 dBm
- RFOUT处的2×本地振荡器（LO）泄漏：典型值为10 dBm
- IF输入处的2×LO泄漏：−25 dBm典型值
- 射频回波损耗：典型值为13 dB
- LO回波损耗：典型值为10 dB
- 32引线，5mm×5mm LFCSP封装
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军事雷达、电子战（EW）和电子情报（ELINT）
- 卫星通信
- 传感器
（图片：引出线）
