ADMV1010AEZ是一种紧凑的砷化镓（GaAs）设计、单片微波集成电路（MMIC）、I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对工作在12.6GHz至15.4GHz频率范围内的点对点微波无线电设计进行了优化。ADMV1010AEZ经过优化，可作为低噪声、上边带（低端本地振荡器（LO））、图像抑制下变频器工作。
ADMV1010AEZ提供15 dB的转换增益和25 dB的图像抑制。ADMV1010AEZ使用射频（RF）低噪声放大器（LNA），然后是同相/正交（I/Q）双平衡混频器，其中驱动器放大器驱动LO。提供IF1和IF2混频器输出，需要外部90°混合以选择所需的边带。I/Q混频器拓扑减少了对过滤不需要的边带的需要。ADMV1010AEZ是混合型SSB下变频器组件的一个更小的替代品，它允许使用表面安装制造组件，从而消除了对引线键合的需求。
ADMV1010AEZ下变频器采用紧凑、热增强、4.9 mm×4.9 mm、32端子LCC封装。ADMV1010AEZ在−40°C至+85°C温度范围内工作。
特色
- 射频输入频率范围：12.6GHz至15.4GHz
- 中频输出频率范围：2.7 GHz至3.5 GHz
- LO输入频率范围：9 GHz至12.6 GHz
- 功率转换增益：典型值为15 dB
- 图像抑制：典型值为25 dB
- SSB噪声系数：典型值为2 dB
- 输入IP3:典型值为1 dBm
- 输入P1dB:−7 dBm典型值
- 单端50ΩRF和LO输入端口
- 4.9 mm×4.9 mm，32端子LCC，带外露焊盘
应用
- 点对点微波无线电
- 雷达和电子战系统
- 仪表和自动测试设备
- 卫星通信
（图片：引出线）
