ADMV1011AEZ是一款紧凑的砷化镓（GaAs）设计、单片微波集成电路（MMIC）、双边带（DSB）上变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对工作在17 GHz至24 GHz频率范围内的点对点微波无线电设计进行了优化。
ADMV1011AEZ提供21dB的转换增益，下边带具有32dBcof边带抑制，上边带具有23dBc边带抑制。ADMV1011使用一个射频（RF）放大器，前面是一个同相/正交（I/Q）双平衡混频器，其中一个驱动放大器用2×乘法器驱动本地振荡器（LO）。提供IF1和IF2混频器输入，需要一个外部90°混合器来选择所需的边带。I/Q混合拓扑减少了对过滤不需要的边带的需求。ADMV1011AEZ是混合型DSB上变频器组件的一个更小的替代品，它允许使用表面安装制造组件，从而消除了对引线键合的需求。
ADMV1011AEZ上变频器采用紧凑、热增强的4.9 mm×4.9 mm LCC封装。ADMV1011在−40°C至+85°C温度范围内工作。
特色
- 射频输出频率范围：17 GHz至24 GHz
- 中频输入频率范围：2GHz至4GHz
- LO输入频率范围：8GHz至12GHz，带2倍乘法器
- 边带抑制：低边带32 dB
- P1dB:25 dBm
- 增益调节：30 dB
- 输出IP3:33 dBm
- 匹配的50Ω RF输出、LO输入和IF输入
- 32端子，4.9 mm×4.9 mm LCC封装
应用
- 点对点微波无线电
- 雷达和电子战系统
- 仪表、自动测试设备
（图片：引出线）
