ADMV1012AEZ是一款紧凑的砷化镓（GaAs）设计单片微波集成电路（MMIC）双边带（DSB）下变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对在17.5GHz至24GHz输入频率范围内工作的点对点微波无线电设计进行了优化。
ADMV1012AEZ提供15 dB的转换增益、25 dB的图像抑制和2.5 dB的噪声系数。ADMV1012EZ使用射频（RF）低噪声放大器（LNA），然后是同相/正交（I/Q）双平衡混频器，其中驱动器放大器通过×2乘法器驱动本地振荡器（LO）。提供IF1和IF2混频器正交输出，需要外部90°混合以选择所需的边带。
I/Q混频器拓扑减少了对不需要的边带的滤波需求。ADMV1012AEZ是混合型DSB下变频器组件的一个小得多的替代品，通过允许使用表面安装制造组件，消除了对引线键合的需求。
ADMV1012AEZ下变频器采用紧凑型、热增强型、4.9 mm×4.9 mm、32端子LCC。ADMV1012AEZ在−40°C至+85°C温度范围内工作。
特色
- 射频输入频率范围：17.5 GHz至24 GHz
- 中频输出频率范围：2.5 GHz至3.5 GHz
- LO输入频率范围：7 GHz至13.5 GHz
- 转换增益（带混合）：典型值为15 dB
- SSB噪声系数：典型值为2.5 dB
- 输入IP3:3 dBm（典型值）
- 输入P1dB:−5 dBm典型值
- 20 dB图像抑制
- 单端50ΩRF和LO输入端口
- 外露焊盘，4.9 mm×4.9 mm，32端子LCC
应用
- 点对点微波无线电
- 雷达和电子战系统
- 仪表、自动测试设备（ATE）
- 卫星通信
（图片：引出线）
