HMC8191是一种无源宽带I/Q单片微波集成电路（MMIC）混频器，既可以用作接收机操作的图像抑制混频器，也可以用作发射机操作的单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频（RF）和本地振荡器（LO）范围，以及dc至5 GHz的中频（IF）带宽，非常适合需要宽频率范围、优异的RF性能和具有较少组件和较小印刷电路板（PCB）占地面积的简单设计的应用。单个HMC8191可以在设计中替换多个窄带混频器。
HMC8191的固有I/Q架构提供了出色的图像抑制，从而消除了对不需要的边带进行昂贵滤波的需要。混频器还提供优异的LO到RF和LO到IF隔离，并减少LO泄漏的影响，以确保信号完整性。
作为无源混频器，HMC8191不需要任何直流电源。与有源混频器相比，它提供了更低的噪声系数，确保了高性能和高精度应用的卓越动态范围。
HMC8191是在砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺上制造的，并使用股份有限公司的模拟器件混频器单元和90度混频器。HMC8191采用4 mm×4 mm的24端子无引线芯片载体（LCC）封装，可在-40°C至+85°C的温度范围内工作。HMC8191的评估板也可从Analog Devices网站获得。
特色
- 无源宽带I/Q混频器
- RF和LO范围：6 GHz至26.5 GHz
- 直流至5 GHz的宽中频带宽
- 单端RF、LO和IF
- 转换损耗：9 dB（典型）
- 图像抑制：25 dBc（典型）
- 单边带噪声系数：9 dB（典型）
- 输入IP3（下变频器）：24 dBm（典型）
- 输入P1dB压缩点（下变频器）：15 dBm（典型）
- 输入IP2:55 dBm（典型）
- LO到RF隔离：40 dB（典型）
- LO到IF隔离：40 dB（典型）
- 射频到中频隔离：20 dB（典型）
- 振幅平衡：±0.5 dB（典型）
- 相位平衡（下变频器）：±5°（典型）
- 射频回波损耗：15 dB（典型）
- LO回波损耗：15 dB（典型）
- 中频回波损耗：15 dB（典型）
- 暴露焊盘，4 mm×4 mm，24端子，陶瓷，LCC封装
应用
- 测试和测量仪器
- 军事、航空航天和国防应用
- 微波点对点基站
（图片：引出线）
