ADMV1009AEZ是一种紧凑的砷化镓（GaAs）设计、单片微波集成电路（MMIC）、上边带（USB）、差分上变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对在12.7 GHz至15.4 GHz频率范围内工作的点对点微波无线电设计进行了优化。
ADMV1009AEZ提供21dB的转换增益和20dB的边带抑制。ADMV1009AEZ使用射频（RF）放大器，前面是无源双平衡混频器，其中浮动放大器驱动本地振荡器（LO）。提供了IF1和IF2混合器，需要一个外部180°平衡-不平衡转换器来差动驱动IF引脚。ADMV1009AEZ是混合型单边带（SSB）上变频器组件的一个更为小巧的替代品，通过允许使用表面安装制造组件，消除了对引线键合的需求。
ADMV1009AEZ上变频器采用紧凑、热增强的4.9 mm×4.9 mm LCC封装。ADMV1009在−40°C至+85°C温度范围内运行。
特色
- 射频输出频率范围：12.7 GHz至15.4 GHz
- 中频输入频率范围：2.8 GHz至4 GHz
- LO输入频率范围：9 GHz至12.6 GHz
- 匹配的50Ω RF输出、LO输入和IF输入
- 20 dB图像抑制
- 32端子，4.9 mm×4.9 mm LCC封装
应用
- 点对点微波无线电
- 雷达和电子战系统
- 仪表、自动测试设备
（图片：引出线）
