HMC524ALC3B是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)同相正交(I/Q)混频器,采用符合RoHS标准的表面贴装(SMT)陶瓷封装。该设备可以用作图像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准的双平衡混频器单元和一个在GaAs、金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺中制造的90°混合耦合器。低频正交混合产生100 MHz IF输出。
该器件是混合式图像抑制混频器和单边带上变频器组件的一个小得多的替代品。HMC524ALC3B无需引线键合,允许使用表面安装制造技术。
特色
- 无源:无需直流偏压
- 转换损耗:9 dB(典型)
- 图像抑制:20 dB(典型)
- LO到RF隔离:35 dB(典型)
- LO到IF隔离:25 dB(典型)
- IP3:18 dBm(典型)
- P1dB:17 dBm(典型)
- 中频引脚频率:dc−4.5 GHz
- 12引线,3mm×3mm SMT陶瓷封装
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电和VSAT
- 测试设备和传感器
- 军事最终用途
(图片:引出线)