HMC815BLC5TR是一种紧凑型砷化镓（GaAs）、伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、单片微波集成电路（MMIC）上变频器，采用符合RoHS的封装，工作频率从21 GHz到27 GHz。该设备提供12dB的小信号转换增益和20dBc的边带抑制。HMC815B使用同相/正交（I/Q）混频器驱动驱动放大器，其中LO由有源2×乘法器驱动。提供IF1和IF2混频器输入，需要外部90°混合器来选择所需的边带。I/Q混频减少了对不需要的边带进行滤波的需要。
HMC815BLC5TR是混合型单边带（SSB）下变频器组件的一种更小的替代品，它通过允许使用表面安装制造技术消除了引线键合的需求。
HMC815BLC5TR采用4.90 mm×4.90 mm、32端子陶瓷LCC封装，可在-40°C至+85°C温度范围内工作。HMC815BLC5TR的评估板也可根据要求提供。
特色
- 转换增益：典型值为12 dB
- 边带抑制：典型值为20 dBc
- OP1dB压缩：典型值为20 dBm
- OIP3:27 dBm典型值
- 2×LO到RF隔离：典型值为10 dB
- 2×LO至IF隔离：典型值为15 dB
- 射频回波损耗：典型值为12 dB
- LO回波损耗：典型值为15 dB
- 中频回波损耗：典型值为15 dB
- 外露焊盘，4.90 mm×4.90 mm，32端子，陶瓷LCC
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军事雷达、电子战和电子情报
- 卫星通信
- 传感器
（图片：引出线）
