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HMC772LC4TR是集成电路MMIC GAAS低噪声放大器24QFN，包括HMC772系列，它们设计用于低噪声放大器类型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.032741盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及24-TFCQFN暴露垫包装盒，该器件还可以用作2GHz～12GHz频率。此外，该技术为GaAs，该设备在2GHz至12GHz频率范围内提供，该设备具有1个信道数，电压供应为4V，供应商设备包为24-CSMT（4x4），电流供应为45mA，增益为15dB，测试频率为12GHz，P1dB为13dBm，噪声系数为1.8dB，RF类型为通用型，Pd功耗为0.55 W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为4 V，工作电源电流为45 mA，工作频率为2 GHz至12 GHz，NF噪声系数为1.8 dB，P1dB压缩点为13 dBm，OIP3三阶截距为25 dBm，输入回波损耗为15dB。
HMC772LC4是集成电路MMIC GAAS低噪声放大器24QFN，包括4V电压源，设计用于RF放大器类型，测试频率如数据表注释所示，用于12GHz，提供GAAS等技术特性，供应商设备包设计用于24-CSMT（4x4），以及HMC772系列，该设备也可以用作通用RF类型。此外，Pd功耗为0.55 W，该器件采用切割条交替封装，该器件具有24-TFCQFN封装外壳暴露垫，P1dB压缩点为13 dBm，P1dB为13 dBm，工作电源电压为4 V，工作电源电流为45 mA，工作频率为12 GHz，OIP3三阶截距为25 dBm，信道数为1信道，噪声系数为1.8dB，NF噪声系数为1.8 dB，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+85℃，输入回波损耗为15 dB，增益为15dB，频率范围为2 GHz至12 GHz，频率为2GHz至12GHz，电流源为45mA，放大器类型为LNA。
HMC772LC4TR-R5带有电路图，包括45mA电流源，设计用于2GHz~12GHz频率，增益显示在数据表注释中，用于15dB，具有1.8dB等噪声系数特性，P1dB设计用于13dBm，以及24-TFCQFN外露衬垫包装盒，该设备还可作为磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，该系列是HMC772，该设备在24-CSMT（4x4）供应商设备包中提供，该设备具有4V电压供应。
