HMC6505ALC5是一种小型砷化镓（GaAs）、伪晶（pHEMT）、单片微波集成电路（MMIC）上变频器，采用符合RoHS的封装，工作频率为5.5 GHz至8.6 GHz。该设备提供了15dB的小信号转换增益和22dBc的边带反射。HMC6505ALC5使用一个可变增益放大器（VGA），前面是一个由有源本地振荡器（LO）驱动的同相和正交（I/Q）混频器。提供IF1和IF2混合器，需要外部90°混合器来选择所需的边带。I/Q混频器拓扑减少了对不需要的边带进行滤波的需要。HMC6505A是混合式单边带（SSB）上变频器组件的一个较小的替代品，它通过允许使用表面安装制造技术，消除了对引线键合的需求。
HMC6505ALC5采用5 mm×5 mm、32端子无引线芯片载体（LCC）封装，可在−40°C至+85°C的温度范围内工作。HMC6505ALC5的评估板也可根据要求提供。
特色
- 转换增益：典型值为15 dB
- 边带抑制：典型值为22 dBc
- 最大增益下的输出P1dB压缩：典型值为22 dBm
- 最大增益下的输出IP3：典型值为35 dBm
- LO到RF隔离：典型值为4 dB
- LO至IF隔离：9 dB（典型值）
- 射频回波损耗：典型值20 dB
- LO回波损耗：典型值为10 dB
- 中频回波损耗：典型值20 dB
- 暴露式叶片，5mm×5mm，32端子，无引线芯片载体封装
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军事雷达、电子战（EW）和电子情报（ELINT）
- 卫星通信
- 传感器
（图片：引出线）
