PE4152A-Z

PE4152是具有集成本地振荡器（LO）放大器的高线性四元金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）混频器。LO放大器允许小于0dBm的LO输入驱动电平产生三阶截距点（IIP3）值，类似于用15dBm LO驱动驱动的四MOSFET阵列。PE4152在射频（RF）和中频（IF）端口使用差分信号操作，集成LO缓冲放大器驱动混频器核心。它可以用作上变频器或下变频器。PE4152还提供了集成LO放大器旁路选项，为低功率或增加的线性操作提供了额外的灵活性。相对于启用模式，旁路LO放大器允许优越的LO到RF和LO到IF隔离水平。