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MAX2009ETI+T
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MAX2009ETI+T

  • 描述:RF类型: CDMA2000、DCS1800、WCMDA/UMTS 功能: 射频预失真器 频率: 1.2GHz~2.5GHz 次要属性: 最高12分贝 ACPR改进 供应商设备包装: 28-TQFN（5x5） 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 模拟器件公司 (Analog)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 128.19933 320498.32500
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 模拟器件公司 (Analog)
  • 包装/外壳 28-WFQFN外露焊盘
  • 供应商设备包装 28-TQFN（5x5）
  • RF类型 CDMA2000、DCS1800、WCMDA/UMTS
  • 功能 射频预失真器
  • 频率 1.2GHz~2.5GHz
  • 次要属性 最高12分贝 ACPR改进

MAX2009ETI+T 产品详情

MAX2009ETI可调RF预失真器旨在通过在PA链中引入增益和相位扩展来补偿PA的增益和相位压缩，从而改善功率放大器（PA）相邻信道功率抑制（ACPR）。MAX2009ETI具有+23dBm的最大输入功率电平和宽可调范围，可为工作在1200MHz至2500MHz频带的功率放大器提供敢达12dB的ACPR改善。使用该IC的对应芯片MAX2010可以实现较低的工作频率。MAX2009ETI的独特之处在于，随着输入功率的增加，它可提供高达7dB的增益扩展和24°的相位扩展。扩展量可通过两组独立的控制进行配置：一组调整增益扩展断点和斜率，而第二组控制相同的相位参数。有了这些设置，线性化电路可以在静态设置和遗忘模式下运行，或者可以采用更复杂的闭环实现，并进行实时软件控制的失真校正。混合校正模式也可以使用简单的查找表来补偿PA温度漂移或PA负载等因素。MAX2009ETI采用28针薄QFN暴露焊盘（EP）封装（5mm x 5mm），并指定用于扩展（-40°C至+85°C）温度范围。

特色

  • 高达12dB ACPR改善*
  • 独立增益和相位扩展控制
  • 增益扩展高达7dB
  • 相位扩展高达24°
  • 1200MHz至2500MHz频率范围
  • 卓越的增益和相位平坦度
  • 组延迟<1.3ns（增益和相位段组合）
  • 100MHz频带上的±0.04ns群延迟纹波
  • 能够处理敢达+23dBm的输入驱动
  • 片上温度变化补偿
  • 单+5V电源
  • 低功耗：75mW（典型值）
  • 完全集成到小型28针薄型QFN封装中
*性能取决于放大器、偏置和调制。

应用

  • 数字基带预失真架构
  • 前馈PA架构
  • 军事应用
  • WCDMA/UMTS、cdma2000？、？，DCS1800和PCS1900基站
  • WLAN应用程序


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器件图
型号
制造商
描述
价格
MAX14K500DMAX14K500D多美尔 (Vishay Foil)电阻: 14.5 kOhms 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥76.81096
MAX11K000BMAX11K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 11千欧姆 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥80.46862
MAX32K000BMAX32K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 32 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX33K850BMAX33K850B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 33.85 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX39K000BMAX39K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 39 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX43K000BMAX43K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 43 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX49K000BMAX49K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 49 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX55K000BMAX55K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 55 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX58K000BMAX58K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 58 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX59K000BMAX59K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 59 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX2009ETI+T所属分类：射频其他芯片/模块，MAX2009ETI+T 由 模拟器件公司 (Analog) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MAX2009ETI+T价格参考￥128.199330，你可以下载 MAX2009ETI+T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MAX2009ETI+T规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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