HMC434SRJZ-EP-PT是一种低噪声、静态、8分频单片微波集成电路（MMIC），采用磷化铟镓/砷化镓（InGaP/GaAs）异质结双极晶体管（HBT）技术，采用超小型表面安装6引脚SOT-23封装。
HMC434SRJZ-EP-PT在直流（方波）或200MHz（正弦波）至8GHz的输入频率下使用单个3 V直流电源工作。
HMC434SRJZ-EP-PT具有单端输入和输出功能，可减少部件数量和成本。100 kHz偏移时−150 dBc/Hz的低附加单边带（SSB）相位噪声有助于用户保持最佳系统噪声性能。
特色
- 超低SSB相位噪声：−150 dBc/Hz典型值
- 单端输入/输出
- 输出功率：−2 dBm（典型值）
- 单电源操作：3 V
- Ultrasmall，表面安装，2.90 mm×2.80 mm，6引脚SOT-23封装
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HMC434-EP支持国防和航空航天应用（AQEC标准）
- 下载（pdf）
- 军用温度范围（−55°C至+105°C）
- 受控制造基线
- 一个组装/测试现场
- 一个制造场地
- 增强的产品更改通知
- 根据要求提供资格数据
- V62/16609 DSCC图纸编号
应用
- DC到C波段PLL预分频器
- 甚小孔径终端（VSAT）无线电
- 未经许可的国家信息基础设施（UNII）和点对点无线电
- IEEE 802.11a和高性能无线局域网（HiperLAN）WLAN
- 光纤
- 蜂窝/3G基础设施
（图片：引出线）
