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HMC786LP4ETR是集成电路MMIC混频器W/LO AMP 24-QFN,包括HMC786系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.032741盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于24-VFQFN暴露垫,以及700MHz~1.1GHz频率,该器件也可以用作硅技术。此外,电压供应为4.75 V~5.25 V,该设备采用24-SMT(4x4)供应商设备包提供,该设备具有130mA电流供应,噪声系数为7.5dB,射频类型为LTE、WiMax,射频频率为700 MHz至1100 MHz,次要属性为下变频器,混频器数量为1,Pd功耗为1 W,其最大工作温度范围为+85℃,最小工作温度范围-40℃,工作电源电压为5 V,工作电源电流为130 mA,最大转换损耗为9.5 dB。
HMC786LP4E是带LO AMP 24-QFN的集成电路MMIC混频器,包括4.75 V ~ 5.25 V电源,设计用于0.032741盎司单位重量的操作。数据表说明中显示了用于硅的技术,该硅提供了供应商设备包功能,如24-SMT(4x4),该系列设计用于HMC786,以及下变频器辅助属性,该设备也可以用作LTE、WiMax RF类型。此外,射频频率为700MHz至1100MHz,该器件提供1W Pd功耗,该器件具有散装交替封装,封装外壳为24-VFQFN暴露焊盘,工作电源电压为5V,工作电源电流为130mA,混频器数量为1,噪声系数为7.5dB,安装方式为SMD/SMT,它的最小工作温度范围为-40℃,最大工作温度范围+85℃,频率为700MHz~1.1GHz,电流供应为130mA,最大转换损耗为9.5 dB。
HMC787LC3B是IC混频器GAAS 3-10GHZ 12-QFN,包括3GHz~10GHZ频率,设计为在9dB噪声系数下工作,混频器数量如数据表注释所示,用于1,提供封装盒功能,如12-VFQFN外露垫,封装设计用于切割带,以及LTE、WiMax RF类型,该设备也可以用作上/下转换器辅助属性。此外,供应商设备包为12-SMT(3x3)。