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HMC376LP3ETR是集成电路MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN，包括HMC376系列，它们设计用于低噪声放大器类型，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.002014盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及16-VFQFN暴露衬垫包装盒，该器件也可用于700MHz~1GHz频率。此外，该技术为GaAs，该器件在700MHz至1GHz频率范围内提供，该器件具有1个通道数，电压供应为5V，供应商器件封装为16-QFN（3x3），电流供应为73mA，增益为15dB，测试频率为810MHz至960MHz，P1dB为21.5dBm，噪声系数为0.7dB，RF类型为通用型，Pd功耗为0.769 W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为5 V，工作电源电流为73 mA，工作频率为700 MHz至1 GHz，NF噪声系数为0.7 dB，P1dB压缩点为21.5 dBm，OIP3三阶截距为36 dBm，输入回波损耗为13dB。
HMC376LP3E是集成电路MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN，包括5V电压源，它们设计为以0.002014盎司单位重量运行，类型如数据表注释所示，用于低噪声放大器，提供810MHz～960MHz等测试频率特性，技术设计用于GaAs以及16-QFN（3x3）供应商设备包，该设备也可以用作HMC376系列。此外，RF类型为通用型，该设备提供0.769 W Pd功耗，该设备具有切割条交替封装，封装外壳为16-VFQFN暴露垫，P1dB压缩点为21.5dBm，P1dB为21.5dBm，工作电源电压为5V，工作电源电流为73mA，工作频率为700MHz至1GHz，OIP3三阶截距为36 dBm，信道数为1信道，噪声系数为0.7dB，NF噪声系数为0.7 dB，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+85℃，输入回波损耗为13 dB，增益为15dB，频率范围为700 MHz至1 GHz，频率为700MHz~1GHz，电流源为73mA。
HMC375LP3TR，带有HITITE制造的电路图。HMC375LP3TR在QFN封装中提供，是IC芯片的一部分。
