9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI4356-B1A-FMR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4356-B1A-FMR参考价格为2.07000美元。Silicon Labs SI4356-B1A-FMR封装/规格：RF RX FSK/GFSK 315-917MHZ 20QFN。您可以下载SI4356-B1A-FMR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4356-B1A-FM带有引脚细节，包括EZRadioR系列，它们设计用于独立Sub-GHz接收器类型，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.001764盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及EZRadio商品名，该设备也可以用作20-VFQFN外露衬垫包装盒。此外，频率为315MHz~917MHz，工作温度范围为-40°C~85°C，设备的灵敏度为-113dBm，应用范围为远程控制、RKE、安全系统，电源电压为1.8V~3.6V，供应商设备包为20-QFN（3x3），数据接口为PCB，表面贴装，数据速率最大值为120kbps，带宽为535kHz，调制或协议为FSK、GFSK、OOK，电流接收为12mA，天线连接器为PCB，表面贴装，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为3.6 V，工作电源电流为12 mA，工作频率为917 MHz，电源电压最大值为3.6 V，并且电源电压Min为1.8V。
SI4356ADY-T1-E3是MOSFET 30V 26A 6.5W，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns 12 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns 57 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为95 ns 12 ns，器件的漏极-源极电阻为5.5 mOhms，Pd功耗为3 W，零件别名为SI4356ADY-E3，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 A，下降时间为9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4356ADY-T1-GE3是MOSFET 30V 26A 6.5W 5.5mohm@10V，包括单一配置，它们设计为在17A Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作SOIC窄8封装盒。此外，包装为卷轴，该器件以SI4356ADY-GE3零件别名提供，该器件具有3 W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为5.5 mOhms，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.006596 oz，Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为12V。
