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HMC327MS8GTR是集成电路MMIC PWR AMP 3-4GHZ 8-MSOP，包括HMC327系列，它们设计用于功率放大器类型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004938盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）暴露的衬垫封装外壳，该设备也可以用作3GHz～4GHz频率。此外，该技术为GaAs InGaP，该器件在3 GHz至4 GHz频率范围内提供，该器件具有1个信道数，电压供应为5V，供应商设备包为8-MSOP，电流供应为250mA，增益为21dB，测试频率为3.5GHz，P1dB为27dBm，噪声系数为5dB，射频类型为WLL、WLAN、，Pd功耗为1.88 W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为5 V，工作电源电流为250 mA，工作频率为3 GHz至4 GHz，NF噪声系数为5 dB，P1dB压缩点为27 dBm，OIP3三阶截距为40 dBm，输入回波损耗为15dB。
HMC329是集成电路MMIC MIXER DBL-BAL DIE，包括GaAs技术，它们设计用于与管芯供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HMC329G，提供通用型射频功能，射频频率设计用于25GHz至40GHz，以及散装封装，该设备也可用作管芯封装外壳。此外，混音器的数量为1，设备的噪声系数为9.5dB，设备的NF噪声系数为9.5 dB，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+85 C，频率为25GHz~40GHz，最大转换损耗为11.5 dB。
HMC329-AN，带有Analog Devices制造的电路图。是RF混频器的一部分，并支持RF混频器GaAs MMIC DBL-BAL混合芯片25-40 GHz。
