9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI4355-B1A-FMR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4355-B1A-FMR参考价格3.92000美元。Silicon Labs SI4355-B1A-FMR封装/规格：RF RX FSK/GFSK 283-350MHZ 20QFN。您可以下载SI4355-B1A-FMR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4355-B1A-FM是IC EZRADIO FM接收器SI4355，包括EZRadioR系列，它们设计为与接收器类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于托盘替代包装，提供单位重量功能，如0.001764盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及EZRADIO商品名，该器件也可以用作20-VFQFN暴露焊盘封装盒。此外，频率为283MHz~350MHz、425MHz~525MHz、850MHz~960MHz，工作温度范围为-40°C~85°C，设备灵敏度为-116dBm，应用为通用型，电压供应为1.8V~3.6V，供应商设备包为20-QFN（3x3），数据接口为PCB，表面贴装，数据速率最大为500kbps，调制或协议为FSK、GFSK、OOK，电流接收为10mA，天线连接器为PCB，表面贴装，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，工作电源电流为10 mA，工作频率为283 MHz至960 MHz。
SI4354DY-T1-GE3是MOSFET 30V 9.5A 2.5W 16.5mohm@10V，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作16.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2.5 W，该器件以SI4354DY-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为SOIC窄8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为9.5A，并且配置为单一。
Si4354DY-T1-E3是由10VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC。Si4354DY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC、N沟道30V 9.5V（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO、Trans MOSFET N-CH30V 9.5A-8-Pin SOIC N T/R。
