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SI4829DY-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC。SI4829DY-T1-GE3采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC、P沟道20V 2A(Tc)2W(Ta)、3.1W(Tc)表面安装8-SO。
SI4830带有VS制造的用户指南。SI4830采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。
SI4830-A10-GUR,电路图由SILICON制造。SI4830-A10-GUR采用SSOP24封装,是IC芯片的一部分。