9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI4320-J1-FTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4320-J1-FTR参考价格$42.4500。Silicon Labs SI4320-J1-FTR封装/规格：RF RX FSK/OOK 315/433MHZ 16TSSOP。您可以下载SI4320-J1-FTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI4320-J1-FTR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4320-J1-FT是IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP，包括SI4320系列，它们设计用于ISM接收器类型，包装如数据表注释所示，用于管替代包装，提供单位重量功能，如0.002037盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及16-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）包装箱，该设备也可用于315MHz、433MHz、868MHz、915MHz频率，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备的灵敏度为-109dBm，该设备具有远程控制、RKE、应用安全系统，电压供应为2.2V~5.4V，供应商设备包装为16-TSSOP，数据接口为PCB、表面贴装、，最大数据速率为256kbps，调制或协议为FSK、OOK，电流接收为12mA，天线连接器为PCB，表面安装，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.2 V至5.4 V，工作电源电流为3 mA，工作频率为315MHz至915MHz。
SI4320DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如27 ns，典型的关闭延迟时间设计为107 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为21ns，器件的漏极-源极电阻为3mOhm，Pd功耗为1.6W，零件别名为SI4320DY-E3，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为17A，下降时间为21ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4320DY是由SILICON制造的Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8引脚SOIC N。SI4320DY在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8引脚SOIC N。
