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F1162NBGI8

  • 描述:RF类型: General Purpose 频率: 2.3GHz~2.7GHz 混频器数量: two 电源电压: 4.75伏~5.25伏 工作电流: 330毫安 供应商设备包装: 36-VFQFPN(6x6)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 77.65402 194135.07000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥77.65403
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥194,135.07
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 增益 8.9分贝
  • 安装类别 表面安装
  • 次要属性 下变频器
  • 电源电压 4.75伏~5.25伏
  • RF类型 General Purpose
  • 混频器数量 two
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 频率 2.3GHz~2.7GHz
  • 噪声系数 9.9分贝
  • 包装/外壳 36-WFQFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 36-VFQFPN(6x6)
  • 工作电流 330毫安

F1162NBGI8 产品详情

IDT F1162NBGI8双通道器件设计为使用单个5V电源工作。它经过优化,可在多载波基站接收机中运行,适用于2300-2700 MHz的LTE和TDD RF频带,并带有任意侧注入。支持50至500 MHz的中频。名义上,该设备提供+43 dBm输出IP3和335 mA ICC。或者,可以调整4个电阻值和一个切换引脚,以在+38 dBm输出IP3和230 mA ICC的低电流模式下运行设备。

IDT零失真成员™ 这种RF到IF混频器减少了失真,从而提高了SNR,同时降低了功耗。

特色

  • 用于LTE/TDD频段的零失真TM技术
  • 2300至2700 MHz频率范围\多载波系统的理想选择
  • 8.9 dB增益
  • 超线性+43 dBm IP3O
  • 低NF<10 dB
  • 200Ω输出阻抗
  • 超高+13 dBm P1dBI
  • 引脚与现有解决方案兼容
  • 6x6mm 36针包装
  • 断电模式
  • 断电后约150纳秒稳定
  • STBY模式下恒定LO端口Z
  • 低电流模式:ICC=230 mA
  • 标准模式:ICC=330 mA
  • 可用于低压侧或高压侧喷射


(图片:引出线)


F1162NBGI8所属分类:射频混频器,F1162NBGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F1162NBGI8价格参考¥77.654028,你可以下载 F1162NBGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F1162NBGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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