BGSX44MA12E6327XTSA1射频CMOS开关专为LTE和WCDMA接收路径应用而设计。这种4P4T提供低插入损耗和低谐波产生。
该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器允许1.65至1.95V的电源电压。
BGSX44MA12E6327XTSA1射频开关采用英飞凌的专利MOS技术制造，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。该装置的尺寸非常小，仅为1.6 x 1.6 mm2，最大厚度为0.6 mm。
特色
- 具有高线性度的RF CMOS 4P4T接收开关
- 适用于多模LTE和WCDMA应用
- 超低插入损耗和谐波产生
- 0.1至3.8 GHz覆盖范围
- 高端口到端口隔离
- 小包装通用VDD和MIPI电源
- 集成MIPI RFFE接口，工作电压范围为1.65至1.95 V
- 外部USID选择引脚
- 无引线和无卤素封装ATSLP-12-12，横向尺寸为
- 1.6 mm x 1.6 mm，厚度0.6 mm
- 高EMI鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
潜在应用
适用于多模LTE和WCDMA应用
