BGSX22G5A10E6327XTSA1 RF MOS开关专为LTE和WCDMA多天线应用而设计。这种DPDT提供低插入损耗和低谐波生成，并与RF端口之间的高隔离相匹配。开关通过GPIO接口控制。片上控制器允许1.65V至3.4V的电源电压。
该交换机具有直接连接电池功能和无直流射频端口。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要RF端口处的外部直流阻断电容器。BGSX22G5A10E6327XTSA1射频开关采用英飞凌的专利MOS技术制造，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。该装置的尺寸非常小，仅为1.1 x 1.5mm2，最大厚度为0.55mm。
特色
- RF CMOS DPDT天线交叉开关，功率处理能力高达37 dBm
- 超低插入损耗和谐波产生
- 0.1至6.0 GHz覆盖范围
- 高端口到端口隔离
- 如果射频线路上没有直流电，则不需要去耦电容器
- 通用输入输出（GPIO）接口
- 小尺寸1.1mm x 1.5mm
- 无需电源阻塞
- 高EMI鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
潜在应用
多模LTE和WCDMA多天线应用
