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PE42540G-Z

  • 描述:拓扑结构: 吸收的 集成电路: SP4T 频率的范围: 10Hz~8GHz 电源电压: 3.3伏 供应商设备包装: 32-LGA (5x5)
  • 品牌: 派更半导体 (pSemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 55.48061 55.48061
101+ 50.41058 5091.46898
1000+ 44.97840 44978.40900
3000+ 44.97840 134935.22700
  • 库存: 10318
  • 单价: ¥55.48061
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥55.48
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • RF类型 -
  • 特点 -
  • 阻抗值 50欧姆
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 集成电路 SP4T
  • 试验频率 8GHz
  • 拓扑结构 吸收的
  • 插入损耗 1.2分贝
  • 隔离 31分贝
  • 制造厂商 派更半导体 (pSemi)
  • 电源电压 3.3伏
  • IIP3值 58分贝m
  • 1dB压缩点 33分贝m
  • 供应商设备包装 32-LGA (5x5)
  • 频率的范围 10Hz~8GHz
  • 包装/外壳 32-TFQFN外露焊盘

PE42540G-Z 产品详情

产品描述

PE42540是HaRP™ 基于UltraCMOS®工艺技术开发的增强型吸收SP4T射频开关。该开关专门设计用于支持测试设备和ATE市场的要求。它由四个对称的RF端口组成,具有非常高的隔离度。片上CMOS解码逻辑有助于两引脚低压CMOS控制接口和可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无阻塞电容器要求使其成为集成和耐用的终极选择。PE42540采用Peregrine的UltraCMOS®工艺制造,该工艺是蓝宝石衬底上硅绝缘体(SOI)技术的专利变体,具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。

特征

 竖琴™ 技术增强型

 能快速的达到定位

 消除门极和相位滞后

 插入损耗和相位无漂移

 高线性度:58 dBm IIP3

 低插入损耗:3 GHz时0.8 dB,6 GHz时1.0 dB,8 GHz时1.2 dB

 高隔离度:3 GHz时45 dB,6 GHz时39 dB,8 GHz时31 dB

 最大功率处理:30 dBm@8 GHz

 RFC上2kV HBM和所有其他引脚上1kV HBM的高ESD耐受性


(图片:引线/示意图)

PE42540G-Z所属分类:射频开关,PE42540G-Z 由 派更半导体 (pSemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PE42540G-Z价格参考¥55.480614,你可以下载 PE42540G-Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PE42540G-Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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