产品描述
PE42540是HaRP™ 基于UltraCMOS®工艺技术开发的增强型吸收SP4T射频开关。该开关专门设计用于支持测试设备和ATE市场的要求。它由四个对称的RF端口组成,具有非常高的隔离度。片上CMOS解码逻辑有助于两引脚低压CMOS控制接口和可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无阻塞电容器要求使其成为集成和耐用的终极选择。PE42540采用Peregrine的UltraCMOS®工艺制造,该工艺是蓝宝石衬底上硅绝缘体(SOI)技术的专利变体,具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。
特征
竖琴™ 技术增强型
能快速的达到定位
消除门极和相位滞后
插入损耗和相位无漂移
高线性度:58 dBm IIP3
低插入损耗:3 GHz时0.8 dB,6 GHz时1.0 dB,8 GHz时1.2 dB
高隔离度:3 GHz时45 dB,6 GHz时39 dB,8 GHz时31 dB
最大功率处理:30 dBm@8 GHz
RFC上2kV HBM和所有其他引脚上1kV HBM的高ESD耐受性
(图片:引线/示意图)