来自Analog Devices的各种射频开关电路。该系列具有低损耗宽带、正控制转换开关和宽带非反射GaAs MESFET多路开关。
特色
- 无反射,50Ω 设计
- 高隔离:60 dB典型值
- 低插入损耗:典型0.8 dB
- 高功率处理34 dBm通过路径29 dBm终止路径
- 高线性度0.1 dB压缩(P0.1dB):35 dBm典型输入三阶截距(IP3):60 dBm典型
- ESD等级4 kV人体模型(HBM),3A1.25 kV充电设备模型(CDM)
- 单正极电源3.3 V至5 V1.8 V兼容控制
- 有关其他功能,请参阅数据表
应用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 汽车远程信息处理
- 移动无线电
- 测试设备
(图片:引出线)