来自Analog Devices的各种射频开关电路。该系列具有低损耗宽带、正控制转换开关和宽带非反射GaAs MESFET多路开关。
特色
- 高隔离:40~45 dB至6 GHz
- 低插入损耗:6 GHz时为1.5 dB
- 非反光设计
- 3×3mm SMT封装
应用
- 测试仪器
- 光纤和宽带电信
- 基站基础设施
- 微波无线电和VSAT
- 军用无线电、雷达和ECM
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 352.87408 | 352.87408 |
10+ | 329.24050 | 3292.40505 |
25+ | 325.29891 | 8132.47297 |
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来自Analog Devices的各种射频开关电路。该系列具有低损耗宽带、正控制转换开关和宽带非反射GaAs MESFET多路开关。
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