MSW2010-201、MSW2011-201系列表面安装硅PIN二极管SP2T开关分别处理50 MHz至1 GHz、400 MHz至4 GHz的高功率信号,采用成熟的混合制造工艺,将高压PIN二极管和无源器件集成在陶瓷基板内。这些薄型、紧凑的表面安装组件(8 mm长x 5 mm宽x 2.5 mm高)提供了优于QFN封装中MMIC器件的优异的小信号和大信号性能。SP2T开关设计为不对称拓扑结构,以最大限度地减少Tx-Ant损耗并最大限度地提高Tx-Rx隔离性能。这些器件中的PIN二极管的热阻非常低(<10ºC/W),使其能够在TA=85ºC的冷开关应用中可靠地处理50 dBm CW的RF入射功率电平和53 dBm的RF峰值入射功率电平。PIN二极管的厚I层加上其长的少数载流子寿命,提供了大于60dBm的输入三阶截距点(IIP3)。
特色
- 宽频率范围:50 MHz至4 GHz,2个频段
- 低插入损耗:0.25 dB
- 高RF峰值功率的高压额定值:500W
- 比塑料封装MMIC开关更高的平均功率处理:100 W CW
- 紧凑外形的SP2T PIN二极管开关:8 mm长x 5 mm宽x 2.5 mm高
- 仅在正电压下工作(5 V、28 V至125 V)
- 高IIP3:65 dBm
- 符合RoHS
应用
应用
- 最小频率:50 MHz
- 最大频率:1000 MHz
- 插入损耗:0.2 dB
- 隔离:57 dB
- IIP3:65 dBm
- CW入射功率:100 W