BGS13S4N9E6327XTSA1射频MOS开关专为手机和移动应用而设计。这3个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端,最高可处理30 dBm。它提供了1kV的出色ESD鲁棒性。
该SP3T提供了低插入损耗和对天线端口处的干扰信号的高鲁棒性,并在终端模式下产生了低谐波。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平移位器,由1.35V至VDD的控制输入驱动。
BGS13S4N9E6327XTSA1射频开关采用英飞凌的专利CMOS技术制造,具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。
特色
- 3条高线性TRx路径,功率处理能力高达30 dBm
- 小尺寸系数1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
- 低插入损耗@2.7GHz 0.55 dB
- 低谐波产生
- 高端口到端口隔离
- 0.1至3.0 GHz覆盖范围
- 包括ESD保护的片上控制逻辑
- GPIO控制接口
- 无需电源阻塞
- 高EMI鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
潜在应用
射频CMOS开关专为边缘/CDMA2000/LTE/WCDMA应用而设计