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BGS13S4N9E6327XTSA1

  • 描述:RF类型: General Purpose 集成电路: 单刀三掷开关 频率的范围: 100MHz~3GHz 电源电压: 1.8伏~3.3伏 供应商设备包装: PG-TSNP-9-3
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.77716 0.77716
5000+ 0.74891 3744.58000
15000+ 0.73153 10972.99500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥0.77716
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.78
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规格参数

  • 拓扑结构 -
  • RF类型 General Purpose
  • IIP3值 -
  • 1dB压缩点 -
  • 特点 -
  • 阻抗值 50欧姆
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 集成电路 单刀三掷开关
  • 试验频率 2.7GHz
  • 频率的范围 100MHz~3GHz
  • 插入损耗 0.55分贝
  • 隔离 19分贝
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 上次购买
  • 电源电压 1.8伏~3.3伏
  • 包装/外壳 9-XFLGA
  • 供应商设备包装 PG-TSNP-9-3
  • 配套使用/相关货物 -

BGS13S4N9E6327XTSA1 产品详情

BGS13S4N9E6327XTSA1射频MOS开关专为手机和移动应用而设计。这3个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端,最高可处理30 dBm。它提供了1kV的出色ESD鲁棒性。

该SP3T提供了低插入损耗和对天线端口处的干扰信号的高鲁棒性,并在终端模式下产生了低谐波。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平移位器,由1.35V至VDD的控制输入驱动。

BGS13S4N9E6327XTSA1射频开关采用英飞凌的专利CMOS技术制造,具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。

特色

  • 3条高线性TRx路径,功率处理能力高达30 dBm
  • 小尺寸系数1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
  • 低插入损耗@2.7GHz 0.55 dB
  • 低谐波产生
  • 高端口到端口隔离
  • 0.1至3.0 GHz覆盖范围
  • 包括ESD保护的片上控制逻辑
  • GPIO控制接口
  • 无需电源阻塞
  • 高EMI鲁棒性
  • 符合RoHS和WEEE标准的包装

应用

潜在应用

射频CMOS开关专为边缘/CDMA2000/LTE/WCDMA应用而设计

 

BGS13S4N9E6327XTSA1所属分类:射频开关,BGS13S4N9E6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BGS13S4N9E6327XTSA1价格参考¥0.777163,你可以下载 BGS13S4N9E6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BGS13S4N9E6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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