BGS12AL7-4E6327通用RF MOS开关设计用于从30 MHz到3 GHz的广泛应用。其单极双掷配置的对称设计提供了高度的设计灵活性。该单电源芯片集成了由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动的片上CMOS逻辑。0.1 dB的压缩点超过了开关的最大输入功率电平21 dBm,从而在所有信号电平下都具有线性性能。RF开关在1GHz范围内具有0.4dB和2GHz范围内0.5dB的非常低的插入损耗。与GaAs技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要RF端口处的外部直流阻断电容器。
特色
- 低插入损耗
- 高端口到端口隔离
- 低谐波产生
- 片上控制逻辑
- 高ESD鲁棒性
- 无需外部组件
- 通用开关,适用于高达3 GHz的应用
- 小型无引线封装TSLP-7-6
- 无铅和无卤素包装(符合RoHS和WEEE)
应用
- 射频模块
- 移动电话
- 游戏控制台
- 数据卡
- 调谐器
- 遥控无钥匙进入(RKE)系统