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HMC784MS8GETR是集成电路MMIC GAAS SW SPDT 8MSOP,包括HMC784系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004938盎司,提供SMD/SMT等安装样式功能,包装箱设计用于8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽)暴露焊盘,以及50欧姆阻抗,该器件也可以用作GaAs技术,其工作温度范围为-40°C~85°C,该器件提供3 V~8 V电源,该器件具有供应商器件封装的8-MSOP,电路为SPDT,拓扑为反射型,插入损耗为1.3 dB,P1dB为41dBm(典型值)IP1dB,RF类型为通用型,频率下限为DC,频率上限为4GHz,隔离频率为30dB@4GHz(典型值),插入损耗频率为1.3dB@4Gz,IIP3为60dBm(典型值,Pd功耗为1.217W,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,开关配置为SPDT,工作电源电流为20uA,工作频率为DC至4GHz,电源电压Max为8V,电源电压Min为3V,开关数量为单个,高控制电压为0.2V,关断隔离Typ为30dB。
HMC784MS8G是集成电路MMIC GAAS SW SPDT 8MSOP,包括3 V~8 V电压源,它们设计用于反射式拓扑结构,数据表说明中显示了用于8-MSOP的供应商设备包,其提供了通用等射频类型功能,包装设计用于切割条交替包装,以及8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽)暴露焊盘封装外壳,该设备也可以用作41dBm(典型值)IP1dB P1dB,其工作温度范围为-40°C~85°C,该设备的隔离频率为30dB@4GHz,该设备插入损耗频率为1.3dB@4Gz,阻抗为50欧姆,IIP3为60dBm(标准值),频率上限为4GHz,频率下限为DC,电路为SPDT。
HMC784MS8GE是集成电路MMIC GAAS SW SPDT 8MSOP,包括SPDT电路,它们设计为在直流频率较低的情况下工作,频率较高的情况如数据表注释所示,用于4GHz,提供60dBm(典型值)等IIP3特性,阻抗设计为在50欧姆下工作,以及1.3dB@4GHz插入损耗频率,该设备也可作为30dB@4GHz(典型)隔离频率使用,其工作温度范围为-40°C~85°C,该设备提供41dBm(典型)IP1dB P1dB,该设备具有8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽)封装盒外露衬垫,包装为切割条交替包装,射频类型为通用型,供应商设备包装为8-MSOP,拓扑为反射型,电压供应为3 V~8 V。