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HMC347C8是IC GAAS MESFET SW SPDT，包括HMC347G系列，它们设计用于切割条交替包装包装。安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供8-CSOIC（0.154英寸，3.90mm宽）等包装箱功能，暴露焊盘，阻抗设计为50欧姆，以及GaAs技术，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，电压供应为5V，该设备在8-CSMD供应商设备包中提供，该设备具有电路SPDT，插入损耗为2dB，P1dB为23dBm，RF类型为通用型，频率下限为DC，频率上限为8GHz，隔离频率为40dB@6GHz（典型），插入损耗频率为2dB@6GHz，IIP3为43dBm（典型），它的最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围是-55 C，开关配置为SPDT，工作频率为DC至8 GHz，开关数量为双开关，关闭隔离类型为40 dB。
HMC347LP3是IC GAAS MESFET SW SPDT 16QFN，包括吸收拓扑结构，它们设计为与16-QFN（3x3）供应商设备包一起工作，RF类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供切割条交替封装等封装特性，包壳设计为在16-VFQFN暴露焊盘中工作，以及23dBm（典型）IP1dB P1dB，其工作温度范围为-55°C~85°C。此外，隔离频率为38dB@14GHz（典型值），该设备的插入损耗频率为1.9dB@14GHz，该设备阻抗为50欧姆，IIP3为43dBm（典型值，频率上限为14GHz，频率下限为DC，电路为SPDT。
HMC347C8TR是IC GAAS MESFET SW SPDT，包括SPDT电路，它们设计用于在8GHz中使用的DC频率更低、频率更高的情况下工作，提供43dBm（典型值）等IIP3特性，阻抗设计用于50欧姆，以及2dB@6 GHz插入损耗频率，该设备也可以用作40dB@6GHz（典型值，它的工作温度范围为-40°C~85°C，该设备的功率为23dBm P1dB，该设备具有8-CSOIC（0.154“，3.90mm宽），包装箱的外露衬垫，包装为Digi-ReelR替代包装，射频类型为通用型，供应商设备包装为8-CSMD，电压供应为5V。
HMC347G8TR与EDA/CAD模型，更多HMC347G8TR信息请联系技术支持团队。
