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HMC606LC5TR是IC AMP LOW PHASE NOISE 32SMD，包括HMC606G系列，它们设计用于超低相位噪声类型。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装方式功能。包装箱设计用于32-TFCQFN暴露垫，以及2GHz~18GHz频率，该器件也可以用作GaAs InGaP技术。此外，频率范围为5 GHz至17 GHz，设备提供1信道数，设备具有4.5 V至5.5 V的电压供应，供应商设备包为32-CSMT（5x5），电流供应为64mA，增益为13.5dB，P1dB为15dBm，噪声系数为5dB，RF类型为通用型，Pd功耗为1.06 W，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-55℃，工作电源电压为5 V，工作电源电流为180 mA，工作频率为2 GHz至18 GHz，NF噪声系数为5 dB，P1dB压缩点为15 dBm，OIP3三阶截距为27 dBm，输入回波损耗为16 dB。
HMC607是IC SWITCH SPDT裸片，包括吸收拓扑结构，它们设计用于裸片供应商器件封装，数据表注释中显示了用于VSAT的射频类型，提供托盘、封装盒等封装功能，以及26dBm P1dB，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，隔离频率为60dB@10GHz（典型值），设备的插入损耗频率为1.7dB@10Gz，设备阻抗为50欧姆，IIP3为49dBm（典型值，频率上限为15GHz，频率下限为0Hz，电路为SPDT。
HMC606LC5TR-R5带有电路图，包括64mA电流源，设计用于2GHz~18GHz频率，增益如数据表注释所示，用于13.5dB，具有7dB、P1dB等噪声系数特性，以及32-TFCQFN外露衬垫封装外壳，该设备还可用于磁带和卷轴（TR）替代封装。此外，该系列是HMC606G，该设备采用32-CSMT（5x5）供应商设备包提供，该设备具有5V电源。
HMC606-SX带有EDA/CAD型号，包括托盘封装，设计用于雷达RF型，系列如数据表注释所示，用于HMC606G，提供封装外壳功能，如模具，供应商设备封装设计用于模具，以及64mA电流供应，该设备也可用于6.5dB噪声系数。此外，电压供应为5V，该设备提供2GHz~18GHz频率，该设备的13dBm为P1dB，增益为13dB，测试频率为12GHz~18GHz。
