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BGS18MA12E6327XTSA1

  • 描述:RF类型: LTE、W-CDMA 集成电路: SP8T 频率的范围: 100MHz~6GHz 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: ATSLP-12-10
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 4500

数量 单价 合计
1+ 5.74651 5.74651
  • 库存: 44990
  • 单价: ¥5.74652
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  • 总计: ¥25,859.33
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 拓扑结构 -
  • IIP3值 -
  • 1dB压缩点 -
  • 阻抗值 50欧姆
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 集成电路 SP8T
  • 插入损耗 1.2分贝
  • 特点 直流阻塞
  • 包装/外壳 12-UFQFN外露焊盘
  • 频率的范围 100MHz~6GHz
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 试验频率 6GHz
  • 隔离 26分贝
  • 电源电压 1.65伏~1.95伏
  • RF类型 LTE、W-CDMA
  • 供应商设备包装 ATSLP-12-10

BGS18MA12E6327XTSA1 产品详情

用于LTE分集、Tx和LAA应用的MIPI 2.0 SP8T交换机

该SP8T射频开关是基于LTE、WCDMA和TDCDMA的多模手机的完美解决方案。它基于Infineon的专有技术,具有出色的射频性能。超低的插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,LTE Tx功率和6GHz的覆盖范围实现了非常广泛的应用。它具有无直流射频端口,只有在外部施加直流电压时,才需要射频端口处的外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全符合行业标准。

特色

  • LTE和LAA应用的0.1至6 GHz覆盖范围
  • LTE TX功率处理能力
  • 超低插入损耗:频带42时0.78 dB
  • 小尺寸1.1mm x 1.9mm
  • 完全兼容MIPI 2.0 RFFE标准
  • 如果射频线路上没有直流电,则不需要去耦电容器
  • 低谐波产生
  • 高端口到端口隔离
  • 包括ESD保护的片上控制逻辑
  • 无需电源阻塞
  • 高EMI鲁棒性
  • 符合RoHS和WEEE标准的包装

应用

潜在应用

适用于LTE/WCDMA/TDCDMA应用

BGS18MA12E6327XTSA1所属分类:射频开关,BGS18MA12E6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BGS18MA12E6327XTSA1价格参考¥5.746517,你可以下载 BGS18MA12E6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BGS18MA12E6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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