用于载波聚合的DP10T分集交叉交换机
BGSX210MA18E6327XTSA1射频CMOS开关专为LTE载波聚合应用而设计。该DP10T提供低插入损耗和低谐波产生。此外，两个端口具有交叉功能，为载波聚合应用提供了更高的灵活性。
该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器允许1.1至1.95 V的电源电压。该开关具有直接连接电池功能和无直流射频端口的特点。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要RF端口处的外部直流阻断电容器。BGSX210MA18E6327XTSA1射频开关采用英飞凌的专利MOS技术制造，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。该装置的尺寸非常小，仅为2.0 x 2.4mm2，最大厚度为0.6 mm。
特色
- 业界首个通过两个端口的交叉交换机功能实现的灵活载波聚合交换机
- RF CMOS DP10T分集开关，功率处理能力高达27 dBm
- 通过交叉开关功能实现的设备配置SP5T/SP5T、SP4T/SP6T和SP6T/SP4T
- 适用于LTE载波聚合应用
- 超低插入损耗和谐波产生
- 0.1至3.8 GHz覆盖范围
- 高端口到端口隔离
- 如果射频线路上没有直流电，则不需要去耦电容器
- 集成MIPI RFFE接口，工作电压范围为1.1至1.95V
- 软件可编程MIPI RFFE USID无引线和无卤素封装ATSLP-18，横向尺寸2.0mm x 2.4mm，厚度0.6mm
- 无需电源阻塞
- 高EMI鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
潜在应用
RF CMOS开关专为LTE载波聚合应用而设计。
