HMC349AMS8GETR是一种砷化镓（GaAs）、伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）、单极双掷（SPDT）开关，指定频率为100 MHz至4 GHz。
HMC349AMS8GETR具有57 dB的高隔离度、0.9 dB的低插入损耗、52 dBm的高输入IP3和34 dBm的低输入P1dB，非常适合蜂窝基础设施应用。
HMC349AMS8GETR使用从3 V到5 V的单个正电源电压运行，并提供CMOS/TTL兼容控制接口。
HMC349AMS8GETR采用8引脚迷你小外形封装，带有外露衬垫。
特色
- 非反射，50Ω设计
- 高隔离：57 dB至2 GHz
- 低插入损耗：0.9 dB至2 GHz
- 高输入线性
- 1 dB功率压缩（P1dB）：典型值为34 dBm
- 三阶截距（IP3）：典型值52 dBm
- 高功率处理
- 33.5 dBm通过路径
- 26.5 dBm终止路径
- 单正极电源：3 V至5 V
- CMOS-/TTL兼容控制
- 全关闭状态控制
- 8引脚迷你小外形封装，带外露焊盘（mini_SO_EP）
应用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测试设备
（图片：引出线）
