特色
- 正低压控制(0/+2.4 V)
- 低插入损耗(<0.5 dB@2.5 GHz)
- 高隔离RF2、RF3路径(29 dB@2.5 GHz和27 dB@2.5 Hz)
- 微型QFN-8引线外露叶片2 x 2 mm
- PHEMT工艺
起订量: 1
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