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ADRF5132BCPZN-R7

  • 描述:RF类型: General Purpose 拓扑结构: 反光的 集成电路: 继电器 频率的范围: 700MHz ~ 5GHz 电源电压: 4.5V ~ 5.4V 供应商设备包装: 16-LFCSP-WQ(3x3)
  • 品牌: 模拟器件公司 (Analog)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
10+ 39.31557 393.15577
100+ 37.09026 3709.02610
300+ 33.01020 9903.06150
1000+ 29.37886 29378.86800
  • 库存: 2481
  • 单价: ¥105.68301
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥105.68
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规格参数

  • 制造厂商 模拟器件公司 (Analog)
  • 部件状态 可供货
  • 集成电路 继电器
  • RF类型 General Purpose
  • 1dB压缩点 -
  • 特点 -
  • 阻抗值 50欧姆
  • 拓扑结构 反光的
  • IIP3值 62分贝m
  • 工作温度 -40摄氏度~105摄氏度(TC)
  • 隔离 35分贝
  • 插入损耗 0.9分贝
  • 电源电压 4.5V ~ 5.4V
  • 供应商设备包装 16-LFCSP-WQ(3x3)
  • 试验频率 5GHz
  • 频率的范围 700MHz ~ 5GHz
  • 包装/外壳 16-WFQFN外露焊盘,CSP

ADRF5132BCPZN-R7 产品详情

ADRF132BCPZN-R7是一款高功率、反射式、0.7 GHz至5.0 GHz的硅单极双掷(SPDT)反射开关,采用无引线表面安装封装。该交换机是高功率和蜂窝基础设施应用的理想选择,如长期演进(LTE)基站。ADRF132BCPZN-R7具有35 dBm LTE的高功率处理(105°C时的平均典型值)、2.7 GHz时0.6 dB的低插入损耗、65 dBm的输入三阶截距(典型值)和42.5 dBm的0.1 dB压缩(P0.1dB)。

片上电路在5V的单个正电源电压和典型的1.1mA的典型电源电流下工作,使ADRF5132BPZN-R7成为引脚二极管开关的理想替代品。

该设备采用符合RoHS要求的紧凑型16引线3 mm×3 mm LFCSP封装。

特色

  • 反光,50Ω 设计
  • 低插入损耗:2.7 GHz时通常为0.6 dB
  • TCASE=105°C时的高功率处理
    • 长期(运营10年以上)
      • 峰值功率:43 dBm
      • CW功率:38 dBm
      • LTE平均功率(8 dB标准杆数):35 dBm
  • 单个事件(<10秒操作)
    • LTE平均功率(8 dB标准杆数):41 dBm
  • 高线性度
    • P0.1dB:42.5 dBm典型值
    • IP3:65 dBm,典型频率为2.0 GHz至4.0 GHz
  • ESD额定值
    • HBM:2 kV,2级
    • CDM:1.25 kV
  • 单正极电源:5V
  • 阳性对照,CMOS/TTL兼容
  • 16引线,3 mm×3 mm LFCSP封装

应用

  • 蜂窝/4G基础设施
  • 无线基础设施
  • 军用和高可靠性应用
  • 测试设备
  • 引脚二极管更换


(图片:引出线)


ADRF5132BCPZN-R7所属分类:射频开关,ADRF5132BCPZN-R7 由 模拟器件公司 (Analog) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ADRF5132BCPZN-R7价格参考¥105.683008,你可以下载 ADRF5132BCPZN-R7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ADRF5132BCPZN-R7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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