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SI4420BDY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4420BDY-E3的零件别名，该SI4420RDY-E3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商设备包为8-SO，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.4W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为8.5 mOhm@13.5A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为1.4 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为9.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为8.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SI4420BDY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以11 ns上升时间提供，器件具有8.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.4 W，零件别名为SI4420BDY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.5 A，下降时间为11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4420BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4420BDY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
